650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an RDS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

Ergebnisse: 4
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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1 441Auf Lager
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Through Hole TO-247AD-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 840 A 6.3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
1 495Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.5 V 720 A 1.16 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
1 500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
1 500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tube