SiC Schottky Dioden – Mouser Schweiz

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TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.

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SiC Schottky Dioden 6A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDF06065G1
Taiwan Semiconductor
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Single

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- 55 C

+ 175 C

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SiC Schottky Dioden 8A, 650V, SiC Schottky Diode

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8 A

650 V

1.35 V

72 A

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- 55 C

+ 175 C

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TSCDF10065G1
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TO-220AC-2

Single

12 A

650 V

1.36 V

88 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

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TO-220AC-2

Single

16 A

650 V

1.38 V

100 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

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Single

20 A

650 V

1.38 V

128 A

20 uA

- 55 C

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Dual Anode Common Cathode

20 A

650 V

1.34 V

88 A

20 uA

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TSCDH30065G1
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TO-247-3

Dual Anode Common Cathode

30 A

650 V

1.36 V

128 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

Tube

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TSCDH40065G1
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Dual Anode Common Cathode

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650 V

1.33 V

140 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

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TSCDT06065G1
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TO-220AC-2

Single

8 A

650 V

1.35 V

72 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

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TSCDT10065G1
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Single

12 A

650 V

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- 55 C

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TSCDT16065G1
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650 V

1.38 V

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