BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom

Die Nexperia BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom ist in einem extrem kleinen unbedrahteten DFN1006BD-2(SOD882BD)-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface Mounted Device, SMD) untergebracht. Das Gehäuse verfügt über seitenbenetzbare Flanken. Die BAS116LS-Q verfügen über eine Schaltzeit von max. trr = 3 ° s und einen niedrigen Ableitstrom von max. IR = 5 nA.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Spitzensperrspannung
Max. Spitzenstrom
If - Durchlassstrom
Konfiguration
Rückstellungszeit
Vf - Durchlassspannung
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Nexperia Kleinsignal-Schaltdioden DIODE-SS 85V 325MA
Datenblatt
192Auf Lager
10 000erwartet ab 20.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Switching Diodes SMD/SMT DFN-1006BD-2 85 V 4 A 325 mA Single 3 us 1.25 V 5 nA - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
Nexperia Kleinsignal-Schaltdioden DIODE-SS 85V 325MA
Datenblatt
19 734erwartet ab 20.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Switching Diodes SMD/SMT DFN-1006BD-2 85 V 4 A 325 mA Single 3 us 1.25 V 80 nA - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel