SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
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45Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 Dual 65 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Datenblatt
158Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 1200 V, 30 A SiC SBD
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835Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 69 A 1.2 kV 1.5 V 280 A 9 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
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862Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220FP-2 Single 30 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 1200 V, 10 A SiC SBD
Datenblatt
132Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 1200 V, 10 A SiC SBD
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225Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220-2 Single 27 A 1.2 kV 1.5 V 75 A 3 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Datenblatt
43Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.7 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Datenblatt
225Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700V, 30A SiC SBD
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164Auf Lager
Min.: 1
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SMD/SMT D3PAK Single 60 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
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45Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 30 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700 V, 50 A SiC SBD
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145Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 700 V 1.5 V 124 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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52Auf Lager
120erwartet ab 13.04.2026
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube

Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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10Auf Lager
30erwartet ab 06.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual 109 A 1.2 kV 1.5 V 290 A - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
Datenblatt
65Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700 V, 10 A SiC SBD
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325Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700V, 50A SiC SBD
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44Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700 V, 20 A SiC SBD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 150
Mult.: 150

Through Hole TO-220-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 115 A 6 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 700 V 10 A TO-268
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Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-268-3 Single 24 A 700 V 1.5 V 58 A - 55 C + 175 C Tube