HiPerFET Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs 52A 1000V POWER MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-264(3)
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 32 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 40 Amps 1100V 0.2800 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 42 Amps 800V 0.15 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module GigaMOS HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module 138 Amps 300V 0.018 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module 20 Amps 1200V 0.6 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module MBLOC 250V 240A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Diskrete Halbleitermodule 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Diskrete Halbleitermodule 26 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Diskrete Halbleitermodule 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4