HiPerFET Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 827
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 120A 300V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 160A 300V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 180 Amps 70V 0.006 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 180 Amps 150V 0.011 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 20 Amps 1200V 1 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 49 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 220Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 24 Amps 800V 0.4 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 26 Amps 1000V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 27 Amps 800V 0.32 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 600V 36A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 600V 48A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3