Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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onsemi SiC-MOSFETs 20MOHM 900V 370Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 339Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 39Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 453Auf Lager
2 000Auf Bestellung
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V 457Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 14Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
1 000erwartet ab 03.04.2026
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V 1 800Ab Werk erhältlich
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1Ab Werk erhältlich
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 12 000Ab Werk erhältlich
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
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