Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT gate driver
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
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onsemi SiC-MOSFETs 20MW 1200V
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT gate driver
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onsemi Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM 900V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 16
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
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