STMicroelectronics SiC-MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
Datenblatt
714Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 91 A 21 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 150 nC - 55 C + 200 C 547 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
Datenblatt
47Auf Lager
600erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 10 V, + 22 V 1.9 V 157 nC - 55 C + 200 C 390 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Datenblatt
592Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 1 Ohms - 10 V, + 25 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 200 C 120 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Datenblatt
510Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 239 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 200 C 175 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Datenblatt
593Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
Datenblatt
317Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 69 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 162 nC - 55 C + 200 C 420 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
151Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Datenblatt
844erwartet ab 26.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 500 mOhms - 10 V, + 25 V 3.5 V 22 nC - 55 C + 200 C 150 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
Datenblatt
69erwartet ab 16.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement