SCTWA90N65G2V-4
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Siehe Produktspezifikationen
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511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4
Herst.:
Beschreibung:
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 15.91 CHF | 9 546.00 CHF |
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Konformitätscodes
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
Ursprungsklassifikationen
- Ursprungsland:
- China
- Herstellungsland:
- Nicht lieferbar
- Land der Verbreitung:
- Nicht lieferbar
