SCTWA90N65G2V-4
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Siehe Produktspezifikationen
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511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4
Herst.:
Beschreibung:
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
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|---|---|---|
| 23.59 CHF | 23.59 CHF | |
| 17.84 CHF | 178.40 CHF | |
| 17.08 CHF | 1 708.00 CHF | |
| 16.27 CHF | 9 762.00 CHF |
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