SiT8021 Ultra-Small µPower Clock Oscillators

SiTime SiT8021 Ultra-Small µPower Clock Oscillators use an ultra-small 1.5mm x 0.8mm package to deliver 1MHz to 26MHz with six decimal places of accuracy. With 0.1mW of active power consumption at 3.072MHz, these µPower oscillators give longer battery life to devices when compared to quartz-based oscillators. The SiTime clock oscillators feature frequency stability as low as ±100ppm and a programmable output drive to handle EMI or drive multiple loads. SiT8021 ultra-small µ-power clock oscillators are ideal for portable devices requiring long battery life including tablets, IoT devices, and medical/wearable technology.

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Menge RoHS Verpackung/Gehäuse
Frequenz
Frequenzstabilität
Ladekapazität
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Ausgabeformat
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 1.8V, 16MHz, ST, 10k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 1.8V, 19.2MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 1.8V, 24MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 1.8V, 8MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 2.25V-3.63V , 12MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 2.25V-3.63V , 24MHz, ST, 10k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 2.25V-3.63V , 8MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 1508, 100ppm, 1.8V, 2.048MHz, ST, 10k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 1508, 100ppm, 1.8V, 24MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 1508, 100ppm, 1.8V, 24MHz, ST, 10k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 1508, 100ppm, 2.25V-3.63V , 16MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 1508, 100ppm, 2.25V-3.63V , 16MHz, ST, 10k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 1508, 100ppm, 2.25V-3.63V , 24MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 1.8V, 12.288MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 18 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SiTime Oszillatoren von MEMS -20 to 70C, 1508, 100ppm, 1.8V, 12.288MHz, ST, 10k pcs T&R 8 mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

SiTime Oszillatoren von MEMS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiTime Oszillatoren von MEMS
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Nicht auf Lager
Min.: 18 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

1.5 mm x 0.8 mm 2.048 MHz 100 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS - 40 C + 85 C
SiTime Oszillatoren von MEMS
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Nicht auf Lager
Min.: 18 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

1.5 mm x 0.8 mm 6.144 MHz 100 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS - 40 C + 85 C
SiTime Oszillatoren von MEMS
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Nicht auf Lager
Min.: 18 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

1.5 mm x 0.8 mm 2.048 MHz 100 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS - 40 C + 85 C