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Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60 A Hyperschnelle Planar-Gleichrichter

03.13.2026

- Verfügen über eine Sperrspannung von 650 V, einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall und eine extrem schnelle Sperrverzögerung.

Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren

10.31.2025

- Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.

Diodes Incorporated 5.0SMCJ1xCA 5000 W Transientenspannungsschutz

10.31.2025

- Hochleistungsfähige TVS-Diode zum Schutz empfindlicher elektronischer Schaltungen vor Spannungsspitzen.

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

10.31.2025

- Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET

10.21.2025

- Bietet eine überlegene Schaltleistung und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Diodes Incorporated DTH1006P5 Glaspassivierter Gleichrichter mit schneller Erholung

10.13.2025

- Ein Gleichrichter mit einer wiederkehrenden Spitzensperrspannung (VRRM) von 600 V in einem thermisch effizienten PowerDI®5-Gehäuse.

Diodes Incorporated DXTP80x PNP-Bipolartransistoren

09.18.2025

- PNP- Bipolartransistoren bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI 3333-8-Gehäuse.

Diodes Incorporated DXTN80x NPN-Bipolartransistoren

09.17.2025

- Bietet ein kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI 3333-8 Gehäuse für Produkte mit höherer Dichte.

Diodes Incorporated Bipolartransistoren DXTN/P 78Q & 80Q

07.24.2025

- Bietet Nennwerte von 30 V, 60 V und 100 V mit außergewöhnlichem Wirkungsgrad und thermischem Betriebsverhalten.

Diodes Incorporated TT8M 8 A Glaspassivierte Brückengleichrichter

05.01.2025

- Verfügt über eine maximale wiederkehrende Spitzensperrspannung von 1000 V und einen durchschnittlichen gleichgerichteten Ausgangsstrom von 8 A.

Diodes Incorporated DSCxA065LP Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

02.20.2025

- Verfügt über eine hervorragende Sperrstromstabilität bei hohen Temperaturen in einem DFN8080-Gehäuse.

Diodes Incorporated DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCE

11.14.2024

- Verfügt über eine proprietäre Struktur für eine extrem niedrige VCE (SAT)-Leistung.

Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30 V n-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus

10.01.2024

- Bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße.

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET

08.01.2024

- 20-V-N-Kanal-MOSFET, der entwickelt wurde, um den RDS(ON) zu minimieren, und in einem X2-DFN0806-3-Gehäuse erhältlich ist.

Diodes Incorporated DT1042-02SRQ 2-Kanal-TVS-Diodenarray mit niedriger Kapazität

07.01.2024

- Entwickelt, um empfindliche Elektronik vor ESD-Schäden zu schützen.

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1.200 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

06.24.2024

- Konzipiert, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und eine ausgezeichnete Schaltleistung aufrechtzuerhalten.

Diodes Incorporated SxCMHQ AEC-Q101 Glaspassivierte Gleichrichter

06.04.2024

- Bieten eine hohe Strombelastbarkeit und einen geringen Durchlass-Spannungsabfall.

Diodes Incorporated DESD24VS2SOQ 24-V-CAN/LIN-BUS-Schutz

06.01.2024

- Das Bauteil bietet ESD und Überspannungsschutz und ist in einem kompakten, oberflächenmontierbaren SOT23-Gehäuse verpackt.

Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80 V PNP-TRANSISTOR mittlerer Leistung

05.01.2024

- Erhältlich in einem kompakten DFN2020-3-Gehäuse, dessen Footprint um 50 % kleiner ist als das eines SOT-23-Gehäuses.

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V-P-Kanal- MOSFETs im Anreicherungsmodus

05.01.2024

- Bietet niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige GATE- Schwellenspannung bei gleichbleibendem Betriebsverhalten.

Diodes Incorporated DMT26M0LDG Asymmetrische duale N-Kanal-MOSFETs

04.01.2024

- Diese MOSFETs wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand [RDS(ON)] zu minimieren und gleichzeitig ein hervorragendes Betriebsverhalten zu gewährleisten.

Diodes Incorporated US1NDFQ 1 A Oberflächenmontierter, ultraschneller Gleichrichter

03.01.2024

- Bietet ultraschnelle Recoveryzeit für hohe Effizienz bei allgemeinen Gleichrichtungsapplikationen.

Diodes Incorporated DESDxxVxS2UTQ Zweikanalige unidirektionale TVS-Diode

01.01.2024

- Speziell entwickelt, um empfindliche Elektronik vor Schäden durch ESD zu schützen.

Diodes Incorporated DMP68D1LV Dualer p-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus

01.01.2024

- Bietet niedrigen On-Widerstand und Eingangskapazität und eine geringe Eingangskapazität bei gleichbleibend ausgezeichneter Schaltleistung.

Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200 V N-Kanal SiC Leistungs-MOSFET

06.02.2023

- Konzipiert zur Minimierung des Einschaltwiderstandes bei gleichzeitiger hervorragender Schaltleistung.

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Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode

05.12.2026

- Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05.04.2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse SJx08x Hochtemperatur-SCRs

04.24.2026

- Spannung bis zu 800 V, Stoßstromfähigkeit bis zu 100 A und eine Nenntemperatur von +150 °C.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04.24.2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Littelfuse QVx35xHx Hochtemperatur-Alternistor-TRIACs

04.24.2026

- Bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in den Gehäusen TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.14.2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.

Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

04.02.2026

- Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz

03.27.2026

- Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers

03.24.2026

- Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

03.20.2026

- Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.

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