Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
05.12.2026
Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden
05.04.2026
Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden
05.04.2026
Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.
Littelfuse AK-FL TVS-Dioden
Littelfuse AK-FL TVS-Dioden
05.04.2026
Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.
Littelfuse QVx35xHx Hochtemperatur-Alternistor-TRIACs
Littelfuse QVx35xHx Hochtemperatur-Alternistor-TRIACs
04.24.2026
Bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in den Gehäusen TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.
Littelfuse SJx08x Hochtemperatur-SCRs
Littelfuse SJx08x Hochtemperatur-SCRs
04.24.2026
Spannung bis zu 800 V, Stoßstromfähigkeit bis zu 100 A und eine Nenntemperatur von +150 °C.
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
04.24.2026
Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04.16.2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET
04.14.2026
Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter
Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter
04.07.2026
Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.
Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter
Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter
04.07.2026
Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04.06.2026
Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
04.02.2026
Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04.02.2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04.02.2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
03.31.2026
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.    
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
03.31.2026
Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
03.27.2026
Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie. 
Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz
Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz
03.27.2026
Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
03.27.2026
Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
03.24.2026
Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03.20.2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
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