Arten von Halbleitern
Angewendete Filter:
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor LogiCoA003-EVK-001 Evaluierungsboard
08.08.2025
08.08.2025
Entwickelt, um das Betriebsverhalten von LogiCoA™ Lösungen zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 1,5 A 160 V PNP-Leistungstransistor
08.06.2025
08.06.2025
Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.
Ansicht: 1 - 25 von 229
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Microchip Technology MCP1781 High-Voltage LDO Regulators
02.26.2026
02.26.2026
These devices are suitable for 12V to 48V power rails and high-voltage battery packs.
onsemi AR0235 Hyperlux Bild-Sensor Power Tree
02.26.2026
02.26.2026
Hyperlux SG Produktfamilie, zu der auch erstklassige Global-Shutter- Bauteile gehören (2,3 MP, 1/2,8” Format).
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
onsemi AR0145 Hyperlux Bild-Sensor Power Tree
02.26.2026
02.26.2026
Hyperlux SG Produktfamilie, zu der auch erstklassige Global Shutter- Bauteile (1 MP, 1/4,3” Format) gehören.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Microchip Technology MCP1781 Evaluation Board (EV78D55A)
02.26.2026
02.26.2026
Showcases the MCP1781 device’s performance over a wide input voltage range and load current range.
Vishay Bidirectional eFuse Reference Design
02.26.2026
02.26.2026
Handles voltages up to 950V, a 40A current rating, & is equipped with the required feedback signals.
onsemi ARX383 Hyperlux Bild-Sensor Power Tree
02.26.2026
02.26.2026
Hyperlux SG Produktfamilie, zu der auch erstklassige Global-Shutter- Bauteile (VGA, 1/8” Format) gehören.
NXP Semiconductors MCXW23-EVK Development Kit
02.26.2026
02.26.2026
Für Applikationen wie tragbare medizinische Geräte, Haushaltsgeräte und Automatisierung/Asset-Tracking.
NXP Semiconductors MCXW236BUK-RDM Funkmodul-Board
02.26.2026
02.26.2026
Evaluierungs-/Development Board für Anwendungsprototyping und Demonstration des Bauteils MCXW236BUK.
Infineon Technologies KIT_A3G_TC4D7_LITE AURIX™ A3G Lite Kit
02.25.2026
02.25.2026
Equipped with a 32-bit single-chip AURIX TriCore™ TC4D7 microcontroller.
NXP Semiconductors FRDM-MCXA174 MCU Development Board
02.25.2026
02.25.2026
Compact and scalable board for rapid prototyping of MCX A173 and A174 microcontroller units (MCUs).
NXP Semiconductors FRDM-MCXA266 MCU Development Board
02.25.2026
02.25.2026
Board for rapid prototyping of MCX A175, A176, A185, A186, A255, A256, A265 and A266 MCUs.
NXP Semiconductors FRDM-MCXA344 MCU Development Board
02.25.2026
02.25.2026
Compact and scalable board for rapid prototyping of MCX A343 and A344 microcontroller units (MCUs).
NXP Semiconductors FRDM-MCXA366 MCU Development Board
02.25.2026
02.25.2026
A compact and scalable board for rapid prototyping of MCX A355, A356, A365, and A366 MCUs.
Advantech EAI-2300 MXM Hailo-8™ KI-Beschleunigungsmodul
02.24.2026
02.24.2026
Angetrieben von zwei Hailo-8-NPUs, die eine effiziente KI-Inferenzleistung von bis zu 52 TOPS liefern.
Analog Devices Inc. TMC2241-EVKIT Evaluierungskit
02.24.2026
02.24.2026
Ermöglicht eine erste Evaluierung des TMC2241 und bietet gleichzeitig die vollständige Steuerung aller seiner Funktionen.
STMicroelectronics EVKITST87M01-2 Evaluierungsboard
02.24.2026
02.24.2026
Für das ST87M01-1301, ermöglicht eine sofort einsatzbereite Lösung für stromsparende IoT-Mobilfunk-Applikationen.
Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode
02.23.2026
02.23.2026
Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.
Texas Instruments SN74LV3T99/-Q1 Mehrfunktionsgatter
02.23.2026
02.23.2026
Multifunktions-Gates umfassen 3 unabhängige konfigurierbare Logik-Gates mit Ausgängen mit 3 Zuständen.
Texas Instruments SN74AHC3G99/-Q1 Dreifache Multifunktions-Gates
02.23.2026
02.23.2026
Verfügen über drei unabhängig konfigurierbare Logik-Gates mit Ausgängen mit 3 Zuständen.
Texas Instruments SN74AHCT7541-Q1 Oktale Buffer
02.23.2026
02.23.2026
Haben einen Betriebsbereich der Stromversorgung von 2 V bis 5,5 V und sind in einem QFN-Gehäuse mit benetzbarer Flanke erhältlich.
Texas Instruments SN74AHCT9541-Q1 Oktale Buffer
02.23.2026
02.23.2026
Verfügen über TTL-kompatible Schmitt-Trigger-Eingänge und Ausgänge mit drei Zuständen.
Texas Instruments SN74AHC9541-Q1 Oktale Buffer
02.23.2026
02.23.2026
Verfügen über Ausgänge mit 3 Zuständen sowie Schmitt-Trigger-Eingänge und sind in einem QFN-Gehäuse mit benetzbarer Flanke erhältlich.
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