Vishay EFUSE-800V40ABI eFuse-Referenzdesign
Das bidirektionale eFuse-Referenzdesign EFUSE-800V40ABI von Vishay verarbeitet Spannungen bis zu 950 V sowie einen 40-A-Nennstrom und ist vollständig mit allen erforderlichen Rückkopplungssignalen ausgestattet. Diese Plattform verbessert die allgemeine Fahrzeugsicherheit durch Schutz vor Spannungsspitzen, Überstrom und steigenden Temperaturen. Zu den Merkmalen gehören ein niedriger TCR-Nebenwiderstand für eine präzise Strommessung, ein Spannungsteiler mit niedrigem Trackingfehler und ein robuster I/O-Anschluss, der ESD-Schutz und Freilauffähigkeiten bietet. Das bidirektionale eFuse-Referenzdesign EFUSE-800V40ABI von Vishay basiert auf Vishay SiC MOSFETs.
Merkmale
- Niedriger TCR-Nebenwiderstand für präzise Strommessung
- Robuster I/O-Anschluss mit ESD-Schutz und Freilauffähigkeiten
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Spannungsteiler mit niedrigem Trackingfehler
Technische Daten
- Nennspannung bis zu 950 V
- 40 A Nennstrom
- -40 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich
- 1500 mW maximaler Stromverbrauch
- 300 mA maximaler Stromverbrauch
- 5 kVRMS Isolationsspannung
Systemblockdiagramm
Wichtige Bauelemente
Vishay / Beyschlag CMA 0204 Kohleschicht-MELF-Widerstände
Bietet 10Ω bis 100 kΩ Widerstandsbereich, 0,4 W bewertete Dissipation und ±2 % Widerstandstoleranz.
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Veröffentlichungsdatum: 2026-02-23
| Aktualisiert: 2026-03-20