LPDDR4 Speicher

Der LPDDR4 Speicher von Micron ist zur Behandlung von Problemen mit der Leistungsaufnahme in batteriebetriebenen Applikationen optimiert. Diese Speicherbauteile bieten eine um 33 % schnellere Spitzenbandbreite im Vergleich zu DDR4. Der LPDDR4 Speicher bietet einen 5-mal geringeren Stromverbrauch im Standby-Modus im Vergleich zum Standard-DRAM. Diese Speicherbauteile verfügen über ein Multi-Chip-Gehäuse (MCP) und Package-on-Package-Designs (PoP), die PCB-Platz sparen. Die LPDDR4 Speicherbauteile optimieren x16-, x32- und x64-Konfigurationen und bieten BOM-Einsparungen für bestimmte Applikationen. Der LPDDR4 Speicher kombinieren Leistung, Energie, Latenz und physischen Raum, wodurch sie energieeffizient sind. Diese LPDDR4 Speicherbauteile sind für Handsets, batteriebetriebene Applikationen und Ultra-Portables geeignet.

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Versorgungsspannung - Max.
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Maximale Betriebstemperatur
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Micron DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
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SDRAM - LPDDR4 TFBGA-200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT
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SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 512 M x 32 1.06 V 1.95 V - 30 C + 85 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
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SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 1 G x 32 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
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SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 140S Tray
Micron MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Micron DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 AT
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SDRAM Mobile - LPDDR4 64 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 2 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray