IS37SM Flash Memory Devices

ISSI IS37SM Flash Memory Devices are 1Gb/2Gb devices that are based on the standard parallel NAND Flash. These SLC SPI-NAND memory devices provide an advanced write protection mechanism for data security, such as software write protection with a block lock register. The IS37SM Flash memory devices feature Single-Level Cell (SLC) technology, user-selectable internal 8-bit ECC, and first page auto-load on power up. These devices include ten pages of One-Time Programmable (OTP) Flash memory area and offer 10 years of data retention. The IS37SM Flash memory devices are ideal for systems that require a minimum pin count.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
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Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ISSI NAND-Flash 1G 3.3V 104MHz Serial NAND-Flash
Datenblatt
28Auf Lager
4 320Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT
Datenblatt
476Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 542Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray
Datenblatt
108Auf Lager
176Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND-Flash 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 18Auf Lager
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480erwartet ab 22.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
Datenblatt
480erwartet ab 22.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
Datenblatt
480erwartet ab 22.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND-Flash 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C