Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

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STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
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85Auf Lager
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Rolle: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
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73Auf Lager
1 200erwartet ab 16.03.2026
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Rolle: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
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594Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
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510Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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1 597Auf Lager
MouseReel verfügbar
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Rolle: 3 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
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593Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
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90Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
600erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
1 200Auf Bestellung
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
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996erwartet ab 22.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
1 113erwartet ab 10.03.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
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844erwartet ab 26.10.2026
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
100Auf Bestellung
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
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400erwartet ab 12.06.2026
Min.: 1
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Rolle: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SiC MOSFETS