Automotive-Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJT)

Die Automotive-Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJT) von Diodes Incorporated sind äußerst zuverlässige, AEC-Q101-qualifizierte Transistoren und erfüllen die Anforderungen der Fahrzeugindustrie. Diese BJTs umfassen die Silizium-Spitzentechnologie, die eine erstklassige Sättigungsspannungsleistung in Bezug auf den Footprint bietet. Die Automotive-BJTs bieten hohe minimale Gains, die zur Reduzierung der Basisstromanforderungen beitragen und eine schnellere Schaltung ermöglichen. Diese BJTs werden vom PPAP (Production Part Approval Process) unterstützt.

Arten von Transistoren

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt-Typ Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT LED Driver 17 000Ab Werk erhältlich
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SOT-89-3

Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT223 T&R 1K 32 000Ab Werk erhältlich
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-3 PNP
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transist 9 000Ab Werk erhältlich
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3 PNP
Diodes Incorporated ZXTC6718MCQTA
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor 12 000Ab Werk erhältlich
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN, PNP
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Hi Voltage Transistor SOT89 T&R 1K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3 PNP
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT General Purpose Transistor 10 000Ab Werk erhältlich
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT General Purpose Transistor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP

Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-3 NPN
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT SS Low Sat Transist Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT X1-DFN1006-3 PNP

Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT SS Low Sat Transistor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PowerDI-5 NPN
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-3 NPN

Diodes Incorporated Darlington-Transistoren Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Darlington Transistors
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT SS Low Sat Transistor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 NPN, PNP

Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT 500V PNP HiPerf Transistor Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-3 PNP

Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT 500V PNP HiPerf Transistor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
Rolle: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-3 PNP