Neueste Transistoren – Mouser Schweiz

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Arten von Transistoren

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Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren

10.31.2025

- Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

10.31.2025

- Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET

10.21.2025

- Bietet eine überlegene Schaltleistung und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Diodes Incorporated DXTP80x PNP-Bipolartransistoren

09.18.2025

- Die PNP-Bipolartransistoren bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI-3333-8-Gehäuse.

Diodes Incorporated DXTN80x NPN-Bipolartransistoren

09.17.2025

- Bietet ein kleines, thermisch effizientes PowerDI 3333-8-Gehäuse für Produkte mit höherer Dichte.

Diodes Incorporated DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCE

11.14.2024

- Verfügt über eine proprietäre Struktur für eine extrem niedrige VCE (SAT)-Leistung.

Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30 V n-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus

10.01.2024

- Bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße.

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET

08.01.2024

- 20-V-N-Kanal-MOSFET, der entwickelt wurde, um den RDS(ON) zu minimieren, und in einem X2-DFN0806-3-Gehäuse erhältlich ist.

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1.200 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

06.24.2024

- Konzipiert, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und eine ausgezeichnete Schaltleistung aufrechtzuerhalten.

Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80 V PNP-TRANSISTOR mittlerer Leistung

05.01.2024

- Erhältlich in einem kompakten DFN2020-3-Gehäuse, dessen Footprint um 50 % kleiner ist als das eines SOT-23-Gehäuses.

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V-P-Kanal- MOSFETs im Anreicherungsmodus

05.01.2024

- Bietet niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige GATE- Schwellenspannung bei gleichbleibendem Betriebsverhalten.

Diodes Incorporated DMT26M0LDG Asymmetrische duale N-Kanal-MOSFETs

04.01.2024

- Diese MOSFETs wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand [RDS(ON)] zu minimieren und gleichzeitig ein hervorragendes Betriebsverhalten zu gewährleisten.

Diodes Incorporated DMP68D1LV Dualer p-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus

01.01.2024

- Bietet niedrigen On-Widerstand und Eingangskapazität und eine geringe Eingangskapazität bei gleichbleibend ausgezeichneter Schaltleistung.

Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200 V N-Kanal SiC Leistungs-MOSFET

06.02.2023

- Konzipiert zur Minimierung des Einschaltwiderstandes bei gleichzeitiger hervorragender Schaltleistung.

Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

03.30.2023

- AEC-Q101-qualifizierter MOSFET mit niedrigem RDS(ON), der minimale Einschaltverluste gewährleistet.

Diodes Incorporated MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren

03.21.2023

- Die Bauteile sind AEC-Q101-qualifiziert, PPAP PAP-fähig und werden in IATF16949-zertifizierten Anlagen gefertigt.

Diodes Incorporated DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET

03.06.2023

- Entwickelt, um RDS(ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten.

Diodes Incorporated DMN3732UFB4 MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus

01.24.2023

- Entwickelt, um denRDS(on) zu minimieren und dabei eine eindrucksvolle Schaltleistung beizubehalten.

Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N-Kanal Enhancement-Modus MOSFET

01.18.2023

- Entwickelt, umRDS(ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten.

Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N-Kanal Enhancement-Modus MOSFET

01.17.2023

- AEC-Q101 zertifizierter MOSFET mit niedrigemRDS(ON), der minimale Einschaltverluste gewährleistet.

Diodes Incorporated DMN52D0UVA N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET

01.04.2023

- Entwickelt, um RDS (ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten.

Diodes Incorporated DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET

01.04.2023

- Entwickelt, um RDS (ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten.

Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ Niederspannungs-Avalanche-Transistor

11.23.2022

- Ein planarer Silizium-Bipolartransistor, der für den Betrieb im Avalanche-Modus ausgelegt ist.

Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ Automotive Enhancement-Mode-MOSFET

05.11.2022

- AEC-Q101-qualifizierter 80 V, 270 A N-Kanal Enhancement-Mode-MOSFET in einem PowerDI®1012-8 (TOLL)-Gehäuse.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Central Semiconductor 1700 V n-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC)

11.20.2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11.19.2025

- Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

11.07.2025

- Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren

10.31.2025

- Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.

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