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NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 5.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

Herst.- Nr.:

NVBLS1D7N10MCTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

Datenblatt:

NVBLS1D7N10MCTXG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H-PSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	265 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	115 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	303 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	220 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	38 ns
Serie:	NVBLS1D7N10MC
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	48 ns

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Datenblatt

NVBLS1D7N10MCTXG Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290040
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVBLS1D7N10MCTXG N-Kanal-PowerTrench®-MOSFET

Der onsemi NVBLS1D7N10MCTXG n-Kanal-PowerTrench^® -MOSFET bietet eine hohe thermische Leistung und einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung der Leitungsverluste. Der NVBLS1D7N10MCTXG ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.