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NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 6.06 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

Herst.- Nr.:

NVBLS1D7N10MCTXG

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

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	2.86 CHF	1 430.00 CHF
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	2.67 CHF	5 340.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H-PSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	265 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	115 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	303 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	220 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	38 ns
Serie:	NVBLS1D7N10MC
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	48 ns