BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Taiwan Semiconductor MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
3 865Auf Lager
9 000erwartet ab 20.05.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 260 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.6 V 1 nC - 55 C + 150 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs -60, -0.15, Single P-Channel
Datenblatt
1 377Auf Lager
6 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 150 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1.9 nC - 55 C + 155 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs -60, -0.14, Single P-Channel
Datenblatt
3 283Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 140 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1.9 nC - 55 C + 155 C 298 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
14 264Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 298 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel