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BSS123W RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS123W RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS123W
Price: 0.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-BSS123W

Herst.- Nr.:

BSS123W RFG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET

Datenblatt:

BSS123W RFG Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.222 CHF	0.22 CHF
	0.133 CHF	1.33 CHF
	0.082 CHF	8.20 CHF
	0.06 CHF	30.00 CHF
	0.053 CHF	53.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.037 CHF	111.00 CHF
	0.032 CHF	192.00 CHF
	0.027 CHF	243.00 CHF
	0.026 CHF	624.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	160 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	298 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	51 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channe
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Artikel # Aliases:	BSS123W
Gewicht pro Stück:	6 mg

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.