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NVB190N65S3F

Name: onsemi NVB190N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVB190N65S3F
Price: 3.89 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVB190N65S3F

Herst.- Nr.:

NVB190N65S3F

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M

Datenblatt:

NVB190N65S3F Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.89	CHF 3.89
	CHF 2.64	CHF 26.40
	CHF 1.87	CHF 187.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	CHF 1.66	CHF 1 328.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	162 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperFET III
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	SuperFET3
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

NVB190N65S3F Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.

SUPERFET III® 650-V-n-Kanal-MOSFET

Der onsemi SUPERFET III® 650-V-n-Kanal-MOSFET mit 190 mΩ eignet sich hervorragend für verschiedene Leistungssysteme für die Miniaturisierung und einen hohen Wirkungsgrad. Das Bauteil nutzt die Ladungsausgleichstechnologie für einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrigere Gate-Ladungsleistung. Die Technologie ist zur Reduzierung der Leitungsverluste ausgelegt, bietet eine hervorragende Schaltleistung und ist gegen eine extreme dv/dt-Rate beständig. Die SUPERFET III® 650-V-n-Kanal-MOSFETs mit 190 mΩ eignen sich hervorragend für On-Board-Fahrzeug-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in Hybrid-Elektrofahrzeugen.