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NTTFSSCH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSCH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH1D3N04XL
Price: 2.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFSSCH1D3N04XL

Herst.- Nr.:

NTTFSSCH1D3N04XL

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTTFSSCH1D3N04XL Datenblatt

ECAD Model:

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	2.32 CHF	2.32 CHF
	1.48 CHF	14.80 CHF
	1.03 CHF	103.00 CHF
	0.864 CHF	432.00 CHF
	0.824 CHF	824.00 CHF
	0.809 CHF	2 022.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.717 CHF	3 585.00 CHF

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	207 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	107 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	123 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	NTTFSSCH1D3N04XL
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns

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Datenblatt

NTTFSSCH1D3N04XL Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(ON), eine geringe Q_G und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

Der Onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET ist für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist. Dieser 40 V, 207 A, n-Einkanal-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigeren On-Widerstand, eine erhöhte Leistungsdichte und eine hervorragende thermische Leistung. Das Shield-Gate-Trench-Design bietet eine extrem niedrige Gate-Ladung und einen 1,3 mΩ R_{DS (on)}. Das kompakte 3,3 mm x 3,3 mm dual-cool-GEN2-Quellenabwärtsgehäuse ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHs-konform. Der Onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench-MOSFET ist zur Bereitstellung einer effizienten LÖSUNG für Rechenzentrums- und Cloud-Applikationen ausgelegt.