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FDC642P-F085PBK

Name: onsemi FDC642P-F085PBK
Brand: onsemi
SKU: 863-FDC642P-F085PBK
Price: 0.46 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FDC642P-F085PBK

Herst.- Nr.:

FDC642P-F085PBK

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FDC642P-F085PBK Datenblatt

ECAD Model:

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	0.294 CHF	2.94 CHF
	0.237 CHF	23.70 CHF
	0.226 CHF	113.00 CHF
	0.221 CHF	221.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.18 CHF	540.00 CHF
	0.171 CHF	1 026.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SSOT-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	6.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.5 ns
Serie:	FDC642P_F085
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.3 ns

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Datenblatt

FDC642P-F085PBK Datenblatt

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

Der FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET von onsemi bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS_(on)und schnelle Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine typische niedrige Gate-Ladung von 6,9 nC, eine Drain-Source-Spannung von -20V, eine Gate-Source-Spannung von ±8 V und eine Verlustleistung von 1,2 W aus. Der FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET ist in einem SUPERSOT™-6-Gehäuse erhältlich, das einen 72 % kleineren Footprint als das Standard-SO-8-Gehäuse und ein 1 mm dickes, flaches Design aufweist. Dieser MOSFET für Kleinsignalanwendungen ist bleifrei, RoHS-konform, nach AEC-Q101 zertifiziert und PPAP-fähig. Typische Anwendungen umfassen einen Lastschalter, Batterieschutz und Energiemanagement.