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NTB004N10G

Name: onsemi NTB004N10G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB004N10G
Price: 5.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTB004N10G

Herst.- Nr.:

NTB004N10G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET D2PAK

Datenblatt:

NTB004N10G Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	5.58 CHF	5.58 CHF
	5.17 CHF	51.70 CHF
	4.18 CHF	418.00 CHF
	3.72 CHF	1 860.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	3.28 CHF	2 624.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	201 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	175 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	340 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTB004N10G
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

NTB004N10G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTB004N10G n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET NTB004N10G von onsemi ist ein Avalanche-Energie-spezifizierter n-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET mit 201 A (I_D), 100 V (V_DSS) in einem D²PAK-Gehäuse. Dieses MOSFET bietet einen niedrigen R_DS(on) von 4,2 mΩ bei 10 V, eine robuste Technologie für höchste Zuverlässigkeit und ist Hot-Swap-tolerant mit einer besseren SOA-Kurve (Safe Operation Area, sicherer Betriebsbereich) als Standard-MOSFETs. Der MOSFET NTB004N10G von onsemi ist für breite SOA-Anwendungen über einen 48-V-Bus entwickelt, darunter Telekommunikations-, Hot-Swap- und Serverausrüstungen. Weitere typische Anwendungen umfassen auch Wandler und Stromversorgungen.