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NVMFWS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D7N04XMT1G
Price: 1.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFWS1D7N04XMT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS1D7N04XMT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFWS1D7N04XMT1G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 1.68	CHF 1.68
	CHF 1.07	CHF 10.70
	CHF 0.741	CHF 74.10
	CHF 0.628	CHF 314.00
	CHF 0.525	CHF 525.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.483	CHF 724.50
	CHF 0.458	CHF 1 374.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	154 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	29 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	77 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	NVMFWS1D7N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns

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Datenblatt

NVMFWS1D7N04XMT1G Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS1D7N04XM MOSFET

Der onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET ist ein Einzel-, N-Kanal-STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse. Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 154 A und ist gemäßAEC-Q101 zertifiziert. Der NVMFWS1D7N04XM MOSFET von onsemi reduziert Treiber- und Leitungsverluste mit geringen Werten bei Kapazität sowie R_DS(on). Der NVMFWS1D7N04XM ist in einem Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm untergebracht und eignet sich hervorragend für den Motorantrieb, den Batterieschutz und die Synchrongleichrichtung.