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NTBLS0D8N08XTXG

Name: onsemi NTBLS0D8N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS0D8N08XTXG
Price: 6.63 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBLS0D8N08XTXG

Herst.- Nr.:

NTBLS0D8N08XTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Datenblatt:

NTBLS0D8N08XTXG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	6.63 CHF	6.63 CHF
	4.67 CHF	46.70 CHF
	3.77 CHF	377.00 CHF
	3.36 CHF	1 680.00 CHF
	2.98 CHF	2 980.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	2.98 CHF	5 960.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	457 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	790 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	174 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	325 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	485 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	NTBLS0D8N08X
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	34 ns

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Datenblatt

NTBLS0D8N08XTXG Datenblatt

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen

Die Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen von onsemi steigern den Wirkungsgrad, während gleichzeitig das Systemdesign vereinfacht, der Platzbedarf des Boards reduziert, die Zuverlässigkeit verbessert und die Markteinführung verkürzt wird. Da die weltweite Nachfrage nach Energie bis 2030 um 35 % bis 40 % zunehmen wird, werden die wichtigsten Industrieprodukte von onsemi mit einer Kälteeffizienz betrieben, um den täglichen Energieverbrauch zu senken.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.

NTBLS0D8N08X 80 V Einkanal n-Typ MOSFET

Der onsemi NTBLS0D8N08X Einzel-n-Kanal-MOSFET von 80 V verfügt über einen niedrigen Q_rr und eine weichere Freilauf-Bodydiode, um ein effizientes Energiemanagement zu gewährleisten. Der NTBLS0D8N08X von onsemi zeichnet sich außerdem durch einen extrem niedrigen R_DS(on) aus, was die Leistungseffizienz insgesamt verbessert. Ihr niedriger Q _g verbessert das Schaltverhalten zusätzlich. Darüber hinaus ist dieses Bauteil blei- und halogen-/BFR-frei und erfüllt die Umweltstandards.

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.