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IXGA20N250HV

Name: IXYS IXGA20N250HV
Brand: IXYS
SKU: 576-IXGA20N250HV
Price: 11.68 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-IXGA20N250HV

Herst.- Nr.:

IXGA20N250HV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs TO263 2500V 30A IGBT

Datenblatt:

IXGA20N250HV Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	2.5 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	3.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	30 A
Pd - Verlustleistung:	150 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

IXGA20N250HV Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXGA20N250HV Hochspannungs-IGBT

IXYS IXGA20N250HV Hochspannungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bietet einen quadratischen Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA) und 10 µs Kurzschlussfestigkeit. Der IXGA20N250HV bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 2500 V, einen Kollektorstrom von 12 A bei +110 °C und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 3,1 V. Das Bauteil hat einen positiven Temperaturkoeffizienten von V_CE(sat) ideal für die Parallelschaltung.