IXYS IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs kombinieren die Stärken von MOSFETs und IGBTs. Diese Hochspannungsbauteile eignen sich aufgrund des positiven Spannungstemperaturkoeffizienten sowohl der Sättigungsspannung als auch des Durchlassspannungsabfalls der zugehörigen Diode ideal für den Parallelbetrieb. Die "freien" intrinsischen Body-Dioden der IXBx14N300HV-BiMOSFET-IGBTs dienen als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom während des Abschaltens des Bauteils bereitstellt und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten dem Bauelement Schaden zufügen.

Mit den IXBx14N300HV BiMOSFET-IGBTs können Leistungsentwickler mehrere seriell-parallele Bauelemente mit niedrigerer Spannung und geringerem Nennstrom eliminieren und so die Anzahl der erforderlichen Leistungskomponenten reduzieren und die zugehörige Gate-Treiberschaltung vereinfachen. Dieses Merkmal führt zu einem wesentlich einfacheren Systemdesign mit geringeren Kosten und höherer Zuverlässigkeit.

Die IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBTs sind in TO-263HV (IXBA14N300HV) und TO-268HV (IXBT14N300HV) Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.



 

Merkmale

  • „Freie“ intrinsische Bodydiode
  • Platzersparnis durch den Wegfall mehrerer seriell-paralleler Geräte mit niedrigerer Spannung und geringerem Strom
  • Hohe Leistungsdichte
  • Hochfrequenzbetrieb
  • Geringe Leitungsverluste
  • MOS-Gate-Einschalten für einfachen Antrieb
  • Elektrische Isolierung: 4.000 V
  • Niedrige Gate-Drive-Anforderungen

Applikationen

  • Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Lasergeneratoren
  • Kondensator-Entladeschaltungen
  • AC-Schalter

Technische Daten

  • 3000 V Kollektor-Emitter-Spannung (VCES)
  • 3000 V Kollektor-Gate-Spannung (VCGR)
  • ±20 V Gate-Emitter-Spannung (VGES)
  • ±38 A Kollektorstrom bei +25 °C (IC25)
  • ±100 nA Gate-Leckstrom (IGES)
  • ±14 A Kollektorstrom bei +110 °C (IC110)
  • 2,7 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
  • 10 μs Kurzschluss-Widerstandszeit (tsc)
  • 200 W Kollektor-Verlustleistung (PC)
  • -55 °C bis +150 °C Sperrschichttemperaturbereich

Pin-Bezeichnungen und Schaltplan

Technische Zeichnung - IXYS IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs

TO-263HV Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - IXYS IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs

TO-268HV Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - IXYS IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs
Veröffentlichungsdatum: 2021-10-14 | Aktualisiert: 2022-03-11