80V N-Kanal U-MOS X-H MOSFETs

Die 80-V-N-Kanal-U-MOS-X-H-MOSFETs von Toshiba bieten hohe Schaltgeschwindigkeiten, eine geringe Gate-Ladung und eine geringe Verlustleistung. Die U-MOS X-H MOSFETs bieten einen hervorragenden Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) x Übertragungswiderstand x Eingangskapazität (Ciss), was zu einer hohen Leitfähigkeit und geringen Gate-Treiberverlusten führt. Die verringerte Ausgangskapazität (COSS) senkt die Ausgangsladung (QOSS), was die Schalteffizienz dieser Bauelemente erhöht. Diese MOSFETs eignen sich für schaltende Spannungsregler, Motortreiber und hocheffiziente DC-DC-Wandler.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
Datenblatt
894Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
Datenblatt
4 465Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
Datenblatt
5 924Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
Datenblatt
71Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
Datenblatt
268Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
Datenblatt
488Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
Datenblatt
129Auf Lager
10 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
Datenblatt
435Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
Datenblatt
39Auf Lager
20 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
Datenblatt
150erwartet ab 17.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube