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TPH3R10AQM,LQ

Name: Toshiba TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R10AQMLQ
Price: 1.91 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TPH3R10AQMLQ

Herst.- Nr.:

TPH3R10AQM,LQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

Datenblatt:

TPH3R10AQM,LQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.91 CHF	1.91 CHF
	1.24 CHF	12.40 CHF
	0.841 CHF	84.10 CHF
	0.672 CHF	336.00 CHF
	0.65 CHF	650.00 CHF
	0.637 CHF	1 592.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.617 CHF	3 085.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	83 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	210 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	30 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	U-MOS X-H
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	104 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns

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Datenblatt

TPH3R10AQM,LQ Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

80V N-Kanal U-MOS X-H MOSFETs

Die 80-V-N-Kanal-U-MOS-X-H-MOSFETs von Toshiba bieten hohe Schaltgeschwindigkeiten, eine geringe Gate-Ladung und eine geringe Verlustleistung. Die U-MOS X-H MOSFETs bieten einen hervorragenden Drain-Source-Einschaltwiderstand (R_DS(ON)) x Übertragungswiderstand x Eingangskapazität (C_iss), was zu einer hohen Leitfähigkeit und geringen Gate-Treiberverlusten führt. Die verringerte Ausgangskapazität (C_OSS) senkt die Ausgangsladung (Q_OSS), was die Schalteffizienz dieser Bauelemente erhöht. Diese MOSFETs eignen sich für schaltende Spannungsregler, Motortreiber und hocheffiziente DC-DC-Wandler.