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IPZA65R018CFD7XKSA1

Name: Infineon IPZA65R018CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ZA65R018CFD7XKSA
Price: 15.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ZA65R018CFD7XKSA

Herst.- Nr.:

IPZA65R018CFD7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt:

IPZA65R018CFD7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	106 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	234 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	446 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPZA65R018CFD7 SP005413354

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs sind extrem schnelle Dioden, die das Angebot an Spannungsklassen der CFD7-Produktfamilie erweitern. Die Leistungs-MOSFETs werden mit einer zusätzlichen Durchschlagspannung von 50 V, einer integrierten schnellen Body-Diode, einer verbesserten Schaltleistung und einem ausgezeichneten thermischen Verhalten geliefert. Diese CFD7 Leistungs-MOSFETs bieten den höchsten Wirkungsgrad in resonanten Schalttopologien, wie z. B. LLC und Phasenverschiebungs-Vollbrücken (ZVS). Die MOSFETs kombinieren alle Vorteile einer schnellschaltenden Technologie mit einer überlegenen harten Kommutierungsrobustheit. Diese Leistungs-MOSFETs unterstützen die CoolMOS™ CFD7-Technologie, welche die Zuverlässigkeitsstandards erfüllt und darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte unterstützt.