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NTP360N80S3Z

Name: onsemi NTP360N80S3Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP360N80S3Z
Price: 3.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTP360N80S3Z

Herst.- Nr.:

NTP360N80S3Z

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SF3 800V 360MOHM TO-220

Datenblatt:

NTP360N80S3Z Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	360 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.8 V
Qg - Gate-Ladung:	25.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTP360N80S3Z
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTP360N80S3Z Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.

NTP360N80S3Z SUPERFET®-III-MOSFET

Der NTP360N80S3Z SUPERFET®-III-MOSFET von Onsemi ist ein leistungsstarker MOSFET, der eine Durchschlagspannung von 800 V (V_BR(DSS)) bietet. Dieser SUPERFET ist für den Primärschalter eines Sperrwandlers optimiert und ermöglicht geringere Schaltverluste und Gehäusetemperaturen ohne Einbußen bei der EMI-Leistung. Der NTP360N80S3Z SUPERFET-III von Onsemi verfügt über eine interne Zener-Diode, der die elektrostatische Entladungsfestigkeit (ESD) deutlich verbessert. Typische Applikationen umfassen Adapter/Ladegeräte, LED-Beleuchtung, AUX-Strom, Audio und Industriestrom.