OptiMOS™ 6 100-V-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100-V-Leistungs-MOSFETs werden in SuperSO8- und PQFN-Gehäusen von 3,3 x 3,3 mm angeboten und sind für Hochschalt-Frequenzapplikationen, wie z. B. Telekommunikations- und Solarapplikationen optimiert, bei denen Verluste mit Ladungen (Schaltung) und Einschaltwiderstand (Leitung) verbunden sind. Darüber hinaus eignet sich das Bauteil aufgrund des erstklassigen RDS(on) und des größeren Sicherheitswirkbereichs (SOA) hervorragend für batteriebetriebene Applikationen (BPA) und Batteriemanagementsysteme (BMS).

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
1 947Auf Lager
10 000erwartet ab 20.08.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 179 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 55 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
3 386Auf Lager
15 000erwartet ab 30.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
9 432Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
1 039Auf Lager
20 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
81 209Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
19 991Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
43 496Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
14 828erwartet ab 06.05.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel