Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100-V-Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100-V-Leistungs-MOSFETs werden in SuperSO8- und PQFN-Gehäusen von 3,3 x 3,3 mm angeboten und sind für Hochschalt-Frequenzapplikationen, wie z. B. Telekommunikations- und Solarapplikationen optimiert, bei denen Verluste mit Ladungen (Schaltung) und Einschaltwiderstand (Leitung) verbunden sind. Darüber hinaus eignet sich das Bauteil aufgrund des erstklassigen RDS(on) und des größeren Sicherheitswirkbereichs (SOA) hervorragend für batteriebetriebene Applikationen (BPA) und Batteriemanagementsysteme (BMS).
Im Vergleich zur OptiMOS™-5-Technologie ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsverbesserungen – siehe die nachstehenden Merkmale.
Merkmale
- Im Vergleich zur vorherigen Generation/OptiMOS™-5-Technologie:
- 18 % niedrigerer RDS(on) und größerer SOA
- Deutlich verbesserte FOMs für einen höheren Wirkungsgrad:
- FOM Qg x RDS(on) = -29 %
- FOM Qgd x RDS(on) = -42 %
- Niedrigere und weichere Sperrverzögerungsladung (Qrr)
- Optimiert für Hochschalt-Frequenzapplikationen (z. B. Solar- und Telekommunikations-Applikationen)
- Reduzierung der Systemkosten durch einfacheres thermisches Design und geringerem Aufwand für Parallelschaltungen
- MSL 1 gemäß J-STD-020 eingestuft
- Günstiges Preis-/Leistungsverhältnis für Hochschalt-Frequenzapplikationen (z. B. Solar- und Telekommunikations-Applikationen)
- Geringe Leitungsverluste
- Geringe Schaltverluste
- Schnelles Ein- und Ausschalten
- RoHS-konform, bleifrei
Applikationen
- SNT (Telekommunikation, Server, Ladegerät/Adapter, Fernseher-Netzteil usw.)
- Solaranlagen
- Batteriemanagementsysteme (BMS)
- Batteriebetriebene Applikationen (Elektrowerkzeuge, Drohnen/Multikopter, Robotik)
- Motorsteuerung
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Infografik
Veröffentlichungsdatum: 2021-11-30
| Aktualisiert: 2022-03-11