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NTMFS003P03P8ZT1G

Name: onsemi NTMFS003P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS003P03P8ZT1G
Price: 2.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-TMFS003P03P8ZT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS003P03P8ZT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PFET SO8FL -30V 3MO

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTMFS003P03P8ZT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	1.41 CHF	14.10 CHF
	0.977 CHF	97.70 CHF
	0.78 CHF	390.00 CHF
	0.737 CHF	737.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.737 CHF	1 105.50 CHF

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	234 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	277 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	139 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	380 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	116 ns
Serie:	NTMFS003P03P8Z
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	325 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns

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Datenblatt

NTMFS003P03P8ZT1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFS003P03P8Z P-Kanal MOSFET

Der NTMFS003P03P8Z P-Kanal-MOSFET von Onsemi ist ein einzelner -30 V MOSFET, der in den Abmessungen 5 mm x 6 mm erhältlich ist, um Platz zu sparen und eine hervorragende Wärmeleitung zu gewährleisten. Dieser P-Kanal-MOSFET verfügt über 1,8 mΩ ultra-niedrigen R_DS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz und -234 A Drainstrom. Der NTMFS003P03P8Z P-Kanal-MOSFET arbeitet im Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150°C. Dieser MOSFET ist ein Pb-freies, halogenfreies/BFR-freies und RoHS-konformes Gerät. Der NTMFS003P03P8Z MOSFET eignet sich als Lastschalter, Rückstromschutz, Überspannungsschutz und Schutz vor negativer Rückspannung sowie für das Batteriemanagement.