NVMFWS4D0N04XMT1G

onsemi
863-VMFWS4D0N04XMT1G
NVMFWS4D0N04XMT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.9 mOhms
20 V
3.5 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 32 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns
Serie: NVMFWS4D0N04XM
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMFWS4D0N04XM MOSFET

Der onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET bietet einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten Gehäuse. Der MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 80 A und einen Drain-Source-Widerstand von 3,9 mΩ bei 10 V. Der NVMFWS4D0N04XM MOSFET von onsemi ist in einem SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm sowie einem kleinen Footprint verfügbar und eignet sich hervorragend für Motorantriebe, Batterieschutzsysteme und Synchrongleichrichtungsapplikationen.