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NVMFWS4D0N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS4D0N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS4D0N04XMT1G
Price: 0.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFWS4D0N04XMT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS4D0N04XMT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFWS4D0N04XMT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	0.471 CHF	4.71 CHF
	0.387 CHF	38.70 CHF
	0.371 CHF	185.50 CHF
	0.34 CHF	340.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.335 CHF	502.50 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	12 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	43 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	32 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	NVMFWS4D0N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns

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Datenblatt

NVMFWS4D0N04XMT1G Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS4D0N04XM MOSFET

Der onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET bietet einen niedrigen R_DS(on) und eine niedrige Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten Gehäuse. Der MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 80 A und einen Drain-Source-Widerstand von 3,9 mΩ bei 10 V. Der NVMFWS4D0N04XM MOSFET von onsemi ist in einem SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm sowie einem kleinen Footprint verfügbar und eignet sich hervorragend für Motorantriebe, Batterieschutzsysteme und Synchrongleichrichtungsapplikationen.