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NTMFS0D8N02P1ET1G

Name: onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D8N02P1ET1
Price: 3.33 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS0D8N02P1ET1

Herst.- Nr.:

NTMFS0D8N02P1ET1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs FET 25V 0.8 MOHM SO8FL

Datenblatt:

NTMFS0D8N02P1ET1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3.33 CHF	3.33 CHF
	2.19 CHF	21.90 CHF
	1.54 CHF	154.00 CHF
	1.40 CHF	700.00 CHF
	1.30 CHF	1 300.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	1.30 CHF	1 950.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	365 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	680 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	52 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	139 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTMFS0D8N02P1E
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	175 mg

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Datenblatt

NTMFS0D8N02P1ET1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFS0D8N02P1E n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der MOSFET NTMFS0D8N02P1E von onsemi zeichnet sich durch ein kompaktes Design, hervorragende thermische Leistung und ein kleines Footprint in einem fortschrittlichen SO-8FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm aus. Dieser Einzel-n-Kanal-MOSFET bietet eine niedrige Q_G/geringe Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste und liefert einen extrem niedrigen R_DS(on) zur Minimierung der Leitungsverluste. Der MOSFET NTMFS0D8N02P1E von onsemi eignet sich hervorragend für DC/DC-Wandler, Lastschalter, Motorsteuerungen, Batteriemanagement, Notebooks und Desktop-PCs, Server, Telekommunikation, Computer und Kommunikationgeräte.