CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs setzen neue Standards in puncto Energieeffizienz, Leistungsdichte und Benutzerfreundlichkeit. Die CoolMOS-7-Technologie ist für spezifische Applikationen mit innovativen Gehäusekonzepten und verschiedenen Technologien optimiert. CoolMOS 7 MOSFETS eignen sich hervorragend für Applikationen, die z. B. Ladestationen für Elektrofahrzeuge verkleinern und höhere Ausgänge bieten, was eine schnellere Aufladung des Autos zur Folge hat. Durch CoolMOS 7 sind neue Generationen von Adaptern und Ladegeräten kleiner, leichter und effizienter. Mit CoolMOS 7 können Ingenieure erneuerbare Energiesysteme günstiger und effizienter gestalten.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
480erwartet ab 09.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 111 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube