CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs setzen neue Standards in puncto Energieeffizienz, Leistungsdichte und Benutzerfreundlichkeit. Die CoolMOS-7-Technologie ist für spezifische Applikationen mit innovativen Gehäusekonzepten und verschiedenen Technologien optimiert. CoolMOS 7 MOSFETS eignen sich hervorragend für Applikationen, die z. B. Ladestationen für Elektrofahrzeuge verkleinern und höhere Ausgänge bieten, was eine schnellere Aufladung des Autos zur Folge hat. Durch CoolMOS 7 sind neue Generationen von Adaptern und Ladegeräten kleiner, leichter und effizienter. Mit CoolMOS 7 können Ingenieure erneuerbare Energiesysteme günstiger und effizienter gestalten.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1 000Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1 092Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
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1 093Auf Lager
MouseReel verfügbar
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: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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787Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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915Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Vorlaufzeit 16 Wochen
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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832Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
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708Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
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167Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1 196Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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242Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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263Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 111 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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291Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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213Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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148Auf Lager
500erwartet ab 02.07.2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 346 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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573Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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1 007Auf Lager
2 500erwartet ab 28.05.2026
Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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1 670Auf Lager
2 500erwartet ab 15.10.2026
MouseReel verfügbar
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
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4 637Auf Lager
MouseReel verfügbar
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 6.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
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118Auf Lager
15 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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4 651Auf Lager
9 000erwartet ab 10.12.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 3.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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712Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
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184Auf Lager
500erwartet ab 13.07.2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
165Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
197Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube