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IKB40N65ES5ATMA1

Name: Infineon IKB40N65ES5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKB40N65ES5ATMA1
Price: 4.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKB40N65ES5ATMA1

Herst.- Nr.:

IKB40N65ES5ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs INDUSTRY

Datenblatt:

IKB40N65ES5ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	4.09 CHF	4.09 CHF
	2.72 CHF	27.20 CHF
	1.94 CHF	194.00 CHF
	1.72 CHF	860.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1.60 CHF	1 600.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.35 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	79 A
Pd - Verlustleistung:	230 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT5
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Kollektorgleichstrom Ic max.:	79 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKB40N65ES5 SP001502574
Gewicht pro Stück:	1,563 g

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Datenblatt

IKB40N65ES5ATMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™5 IBGTs sind die nächste Generation von Dünnwafer-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), die über deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste im Vergleich zu derzeit führenden Lösungen verfügen. Kein anderer IGBT auf dem Markt kann bei der Leistung des TRENCH ™ 5 mithalten. Diese sind für Anwendungen, mit Schaltung > 10 kHz ausgelegt. Die Waferdicke wurde auf > 25% reduziert, was eine deutliche Verbesserung sowohl bei der Reduzierung von Schalt- und Durchlassverlusten ermöglicht und gleichzeitig eine Durchbruchspannung von 650 V bietet. Dieser Quantensprung an Effizienz eröffnet Designern neue Forschungsmöglichkeiten.
Weitere Informationen

TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBTs mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit

Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBTs mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit sind die Verbindung zwischen dem L5 und H5 und für Applikationen mit Schaltungen zwischen 10 kHz und 40 kHz ausgelegt. Die IGBTs bieten einen hohe Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, weniger komplexe Schaltungsaufbauten, und eine Optimierung der PCB-Stücklistenkosten. Die S5 sind vollgepackt mit Funktionen, die Entwicklern helfen, Ziele zu erreichen, ohne die Schaltungskomplexität zu erhöhen.