N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor weisen während des Schaltens keinen Nachlaufstrom auf, was zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlusten führt. Ihr niedriger On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe gewährleisten eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM weisen minimale ON-Widerstandserhöhungen auf und bieten eine größere Miniaturisierung des Gehäuses. Dies bietet mehr Energieeinsparungen als Standard-Si-Geräte, bei denen sich der ON-Widerstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.

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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-247-4L
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-247-4L
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
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ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
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ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
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ROHM Semiconductor MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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450erwartet ab 25.06.2026
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ROHM Semiconductor AC/DC-Wandler Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
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