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FCMT360N65S3

Name: onsemi FCMT360N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-FCMT360N65S3
Price: 4.08 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FCMT360N65S3

Herst.- Nr.:

FCMT360N65S3

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs Easy Drive 650V 10A 360 mOhm

Datenblatt:

FCMT360N65S3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4.08 CHF	4.08 CHF
	2.70 CHF	27.00 CHF
	1.89 CHF	189.00 CHF
	1.67 CHF	835.00 CHF
	1.60 CHF	1 600.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.60 CHF	4 800.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	360 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	SuperFET3
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	156,066 mg

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Datenblatt

FCMT360N65S3 Datenblatt

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FCMT360N65S3 SUPERFET®-III-Easy-Drive

Der onsemi FCMT360N65S3 SUPERFET® III Easy-Drive ist ein Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET, der die Ladungsausgleich-Technologie für einen hervorragenden niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrigere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Technologie ist zur Reduzierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet ein überlegenes Schaltverhalten und ist gegen extreme dV/dt-Raten beständig. Die Easy-Drive-Technologie hilft, EMI-Probleme zu bewältigen und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.