SuperMESH™ Hochspannungs-MOSFETs

STMicroelectronics Zener-geschützte SuperMESH™ Leistungs-MOSFETs stellen eine grundlegende Optimierung des streifenbasierten Standard-PowerMESH™-Layouts dar. STMicroelectronics SuperMESH MOSFETs senken den On-Widerstand signifikant und bieten gleichzeitig eine sehr gute dv/dt-Leistung, wodurch sie sich auch für anspruchsvollste Anwendungen eignen. SuperMESH-Komponenten haben eine minimierte Gate-Ladung, sind zu 100% Avalanche-getestet, haben verbesserte ESD-Fähigkeiten und ein neues Hochspannungsbenchmark. Diese STMicroelectronics MOSFETs sind für die Verwendung in Schaltanwendungen konzipiert.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 3 A 2.9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 900
Mult.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 2 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube