STF5N105K5

STMicroelectronics
511-STF5N105K5
STF5N105K5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.05 kV
3 A
2.9 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
12.5 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 24 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8.5 ns
Serie: STF5N105K5
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15.5 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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