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CSD16321Q5T

Name: Texas Instruments CSD16321Q5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16321Q5T
Price: 1.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16321Q5T

Herst.- Nr.:

CSD16321Q5T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si

Datenblatt:

CSD16321Q5T Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.64 CHF	1.64 CHF
	1.11 CHF	11.10 CHF
	0.931 CHF	93.10 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.931 CHF	232.75 CHF
	0.872 CHF	436.00 CHF
	0.841 CHF	841.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD16321Q5

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

2.17 CHF

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	177 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	14 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	113 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	17 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	CSD16321Q5
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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Datenblatt

CSD16321Q5T Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CSD16321Q5 n-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET

Der Texas Instruments CSD16321Q5 n-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET ist ein 25-V-SON-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit 1,9 mΩ von 5 mm × 6 mm, der zur Reduzierung von Verlusten bei der Leistungsumwandlung ausgelegt und für 5-V-Gate-Drive-Applikationen optimiert ist.