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CSD16321Q5

Name: Texas Instruments CSD16321Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16321Q5
Price: 1.98 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16321Q5

Herst.- Nr.:

CSD16321Q5

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET

Datenblatt:

CSD16321Q5 Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.98	CHF 1.98
	CHF 1.26	CHF 12.60
	CHF 0.867	CHF 86.70
	CHF 0.717	CHF 358.50
	CHF 0.681	CHF 681.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.583	CHF 1 457.50
	CHF 0.578	CHF 2 890.00
	CHF 0.564	CHF 5 640.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD16321Q5T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.63

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	14 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	113 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	150 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	CSD16321Q5
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	117.400 mg

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KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
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NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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