Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

Arten von diskreten Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 60
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N
Datenblatt
169Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFET-Module Mod: 1200V 180A (no Diode)
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
Datenblatt
61Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
Datenblatt
235Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Datenblatt
529Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC
Datenblatt
714Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
Datenblatt
1 701Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor MOSFET-Module SIC Pwr Module Half Bridge
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Datenblatt
87Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Datenblatt
147Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
Datenblatt
752Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
Datenblatt
1 391Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
Datenblatt
Produkt-Kommentare
117Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Nch 1200V 95A SiC TO-247N
Datenblatt
66Auf Lager
450erwartet ab 12.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
102Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datenblatt
322Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datenblatt
839Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC, SBD 650V 15A D2PAK
Datenblatt
46Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datenblatt
5Auf Lager
450erwartet ab 12.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datenblatt
92Auf Lager
450erwartet ab 20.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datenblatt
24Auf Lager
1 350Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
Datenblatt
770Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen
Datenblatt
830Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
Datenblatt
11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
Datenblatt
785Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3